Verfahren

Bei der Lithografie gibt es mehrere Verfahren, die sich unterscheiden hinsichtlich.

• der Wellenlänge des verwendeten "Lichts" und
• des Abstandes bzw. kontakts zwischen Fotomaske und Fotolack.

Röntgenlithografie

7 nm. Erhebliche Forschungstätigkeiten wurden in den späten 1980er und frühen 1990er jahren zum Beispiel am ersten Berliner Elektronensynchrotron BESSY vom Fraunhofer Institut für Siliziumtechnik durchgeführt. Sie ist nahe verwandt mit der EUV-Lithographie. Synchrotronstrahlung) lassen sich theoretisch kleinere Strukturen herstellen, bzw. B.Bei der verwendung von Röntgenstrahlen aus Quellen mit der nötigen Konvergenz (z. das Verfahren besitzt eine erheblich größere Fokustiefe. Die Maskentechnik gestaltet sich allerdings sehr aufwändig, so dass bis heute keine großtechnische Anwendung dieses Verfahrens abzusehen ist. Die dort verwendete Synchrotronstrahlung hatte ein Emissionsmaximum bei einer Wellenlänge von ca.

Alternativen zur Fotolithografie

kontakt- und Proximitybelichtung

Dieser Proximity-Gap hilft, Resist und Maske vor Beschädigung zu schützen. 10-50 Mikrometern ("Proximity-Gap") über dem Fotolack positioniert.Bei dieser Art der Belichtung wird die Maske mit einem Abstand von ca.

Optische Lithografie

Phasenmasken) lassen sich aber auch deutlich kleinere Strukturbreiten (Stand 2004: 65 nm mit 157 nm F₂ Excimerlaser) herstellen.Bei der optischen Lithografie wird die Struktur einer Fotomaske mittels Schattenwurf oder Projektion in einen lichtempfindlichen Fotolack übertragen. Die Auflösung wird im wesentlichen von der verwendeten Lichtwellenlänge bestimmt. Stand der Technik 2003 ist die verwendung von ArF Excimerlasern mit einer Wellenlänge von 193 nm. Damit lassen sich mit der entsprechenden Kalziumfluorid-Optik Linienbreiten von ca. 130 nm erzeugen. Durch spezielle Techniken (z. B.